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STW22NM60N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STW22NM60N
廠商型號

STW22NM60N

功能描述

N-channel 600 V, 0.2 廓, 16 A MDmesh??II Power MOSFET

文件大小

994.47 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-9-4 23:01:00

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STW22NM60N規(guī)格書詳情

描述 Description

These devices are made using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

特性 Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STW22NM60N

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 600 V 0.190ohms 16A Mdmesh

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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