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STI18N65M2數(shù)據(jù)手冊(cè)ST中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

STI18N65M2

功能描述

N溝道650 V、0.275 Ohm典型值、12 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220封裝

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-3 20:00:00

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STI18N65M2規(guī)格書詳情

描述 Description

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh? M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, the devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.

特性 Features

? Extremely low gate charge
? Excellent output capacitance (Coss) profile
? 100% avalanche tested
? Zener-protected

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :STI18N65M2

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :I2PAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :650

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.33

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :12

  • PTOT_max(W)

    :110

  • Qg_typ(nC)

    :20

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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