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STI13NM60N數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

STI13NM60N

參數(shù)屬性

STI13NM60N 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK

功能描述

N溝道600 V、0.28 Ohm典型值、11 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,I2PAK封裝

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-2 23:01:00

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STI13NM60N規(guī)格書詳情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

特性 Features

? 100% avalanche tested
? Low input capacitance and gate charge
? Low gate input resistance

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :STI13NM60N

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :I2PAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.36

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :11

  • PTOT_max(W)

    :90

  • Qg_typ(nC)

    :30

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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