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STI18N60M2數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
STI18N60M2 |
| 參數(shù)屬性 | STI18N60M2 包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK |
| 功能描述 | N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-3 20:00:00 |
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STI18N60M2規(guī)格書詳情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh? M2technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devicesexhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering themProduct status link suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
? Extremely low gate charge
? Excellent output capacitance (COSS) profile
? 100% avalanche tested
? Zener-protected
簡介
STI18N60M2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由制造生產(chǎn)的STI18N60M2晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
：STI18N60M2
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Package
：I2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.28
- Drain Current (Dc)_max(A)
：13
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：21.5
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
100 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
N/A |
20000 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-262-3 |
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詢價 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
TO262 |
50000 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
TO-262-3 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-262 |
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