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STI12N65M5中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STI12N65M5
廠商型號

STI12N65M5

功能描述

isc N-Channel Mosfet Transistor

絲印標(biāo)識

I2PAK

封裝外殼

TO-262

文件大小

341.97 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

ISC

中文名稱

無錫固電

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 9:07:00

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STI12N65M5規(guī)格書詳情

? FEATURES

? Drain Current ID= 8.5A@ TC=25℃

? Drain Source Voltage-

: VDSS=650V(Min)

? Fast Switching Speed

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

? APPLICATIONS

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STI12N65M5

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 650 V 0.39 Ohm 8.5 A MDmesh

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
24+
N/A
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一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇
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