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STI100N10F7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

STI100N10F7
廠商型號

STI100N10F7

參數(shù)屬性

STI100N10F7 封裝/外殼為TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK

功能描述

N-channel 100 V, 6.8 mΩ typ., 80 A STripFET? F7 Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO-220FP, I2PAK and TO-220 packages
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK

絲印標(biāo)識

100N10F7

封裝外殼

I2PAK / TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

文件大小

652.33 Kbytes

頁面數(shù)量

28

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 19:00:00

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STI100N10F7規(guī)格書詳情

STI100N10F7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STI100N10F7晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

特性 Features

? Among the lowest RDS(on) on the market

? Excellent FoM (figure of merit)

? Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity

? High avalanche ruggedness

Applications

? Switching applications

描述 Description

These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET? F7 technology with an

enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also

reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STI100N10F7

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    STripFET?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    80A(Tc)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    I2PAK(TO-262)

  • 封裝/外殼:

    TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

  • 描述:

    MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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