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STI10NM60N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STI10NM60N
廠商型號(hào)

STI10NM60N

功能描述

N-channel 600 V, 0.53 Ω typ.,10 A MDmesh? II Power MOSFET in I2PAK package

絲印標(biāo)識(shí)

10NM60N

封裝外殼

I2PAK

文件大小

702.04 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-3 18:00:00

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STI10NM60N規(guī)格書詳情

特性 Features

? 100 avalanche tested

? Low input capacitance and gate charge

? Low gate input resistance

Applications

? Switching applications

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using the second generation of

MDmesh? technology. This revolutionary Power

MOSFET associates a vertical structure to the

company’s strip layout to yield one of the world’s

lowest on-resistance and gate charge. It is

therefore suitable for the most demanding high

efficiency converters.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STI10NM60N

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
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