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STGWT20V60DF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
STGWT20V60DF |
| 參數(shù)屬性 | STGWT20V60DF 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 40A 167W TO3P-3 |
| 功能描述 | Low thermal resistance |
| 封裝外殼 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 文件大小 |
2.09008 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
23 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-3 17:55:00 |
| 人工找貨 | STGWT20V60DF價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STGWT20V60DF規(guī)格書詳情
STGWT20V60DF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGWT20V60DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
STGWT20V60DF
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
- 開關(guān)能量：
200μJ（開），130μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
38ns/149ns
- 測試條件：
400V，20A，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-3P
- 描述：
IGBT 600V 40A 167W TO3P-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
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STM |
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SMD |
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TO3-3 |
5000 |
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ST |
22+ |
TO3P |
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ST/意法 |
22+ |
TO-247 |
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原裝正品 |
詢價(jià) |
