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STGWT20H65FB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGWT20H65FB |
| 參數(shù)屬性 | STGWT20H65FB 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 40A 168W TO3P |
| 功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | TO-3P / TO-3P-3，SC-65-3 |
| 文件大小 |
1.50257 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
20 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-2 15:39:00 |
| 人工找貨 | STGWT20H65FB價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
STGWT20H65FB規(guī)格書詳情
STGWT20H65FB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGWT20H65FB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGWT20H65FB
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，20A
- 開關(guān)能量：
77μJ（開），170μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
30ns/139ns
- 測試條件：
400V，20A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-3P
- 描述：
IGBT 650V 40A 168W TO3P
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
ST(意法) |
24+ |
TO3P |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-3P |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-3P |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價 | ||
ST/意法 |
2022+ |
5000 |
只做原裝,價格優(yōu)惠,長期供貨。 |
詢價 | |||
ST/意法 |
22+ |
TO-3P |
18000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
ST |
NA |
16355 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
ST |
22+ |
TO3P |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-3P |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價 |
