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STGWA80H65DFB 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

STGWA80H65DFB參考圖片

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

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  • 廠家型號:

    STGWA80H65DFB

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    ST(意法)

  • 庫存數(shù)量:

    3000

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-247-3

  • 生產(chǎn)批號:

    25+

  • 庫存類型:

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間:

    2025-7-31 13:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:STGWA80H65DFB品牌:ST(意法)

全新、原裝

STGWA80H65DFB是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST(意法)/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-247-3的STGWA80H65DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    STGWA80H65DFB

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    22 頁

  • 文件大?。?/span>

    1464.48 kb

  • 資料說明:

    Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 型號

    :STGWA80H65DFB

  • Package

    :TO-247 long leads

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :650

  • PTOT_max(W)

    :469

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :80

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :120

  • IF_max(@ Tc=100°C)(A)

    :80

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :120

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.6

  • VF_typ(V)

    :1.9

  • Qg_typ(nC)

    :414

  • Eon_typ(mJ)

    :2.1

  • Eoff_typ(mJ)

    :1.5

  • Err_typ(μJ)

    :267

  • Qrr_typ(nC)

    :1105

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市朱博士電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人:

    邱萍

  • 手機(jī):

    15096177993

  • 詢價:
  • 電話:

    075583991292

  • 傳真:

    0755-83350938

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)群星廣場A座A2019室