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STGP19NC60KD 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體
- 詳細信息
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原廠料號:STGP19NC60KD品牌:ST(意法半導體)
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STGP19NC60KD是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST(意法半導體)/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-220/TO-220-3的STGP19NC60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
STGP19NC60KD
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.75V @ 15V,12A
- 開關(guān)能量:
165μJ(開),255μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
30ns/105ns
- 測試條件:
480V,12A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應商器件封裝:
TO-220
- 描述:
IGBT 600V 35A 125W TO220
供應商
相近型號
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