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STGP10NC60KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

STGP10NC60KD
廠商型號(hào)

STGP10NC60KD
參數(shù)屬性

STGP10NC60KD 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 20A 65W TO220
功能描述

N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
IGBT 600V 20A 65W TO220
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

526.13 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
STMICROELECTRONICS
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-8-4 23:00:00
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STGP10NC60KD規(guī)格書(shū)詳情

STGP10NC60KD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGP10NC60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGP10NC60KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，5A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    55μJ（開(kāi)），85μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    17ns/72ns

  • 測(cè)試條件：

    390V，5A，10歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 600V 20A 65W TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
24+
TO-220
942
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
23+
TO-220-3
12700
買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美
 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
24+
TO-220-3
6000
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ST
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TO-220AB
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ST/意法半導(dǎo)體
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TO-220-3
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ST/意法半導(dǎo)體
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TO-220-3
8860
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 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
24+
TO-220-3
16900
原裝，正品
 詢價(jià)

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