STGP10M65DF2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

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廠家型號(hào)：
STGP10M65DF2
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ST(意法半導(dǎo)體)
庫存數(shù)量：
1612
產(chǎn)品封裝：
TO-220
生產(chǎn)批號(hào)：
24+
庫存類型：
熱賣庫存
更新時(shí)間：
2025-7-28 8:12:00

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原廠料號(hào)：STGP10M65DF2品牌：ST(意法半導(dǎo)體)

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STGP10M65DF2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST(意法半導(dǎo)體)/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-220/TO-220-3的STGP10M65DF2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

芯片型號(hào)：
STGP10M65DF2
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情
廠商全稱：
STMicroelectronics
中文名稱：
意法半導(dǎo)體集團(tuán)
內(nèi)容頁數(shù)：
18 頁
文件大?。?/span>
945.33 kb
資料說明：
Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low loss

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
STGP10M65DF2
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
溝槽型場截止
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，10A
開關(guān)能量：
120μJ（開），270μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
19ns/91ns
測試條件：
400V，10A，22 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
描述：
IGBT 650V 10A TO-220AB

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市高捷芯城科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪留言
聯(lián)系人：
高捷芯城-敏敏
手機(jī)：
13378405761
詢價(jià)：
電話：
0755-82538261
傳真：
0755-82550578
地址：
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號(hào)航都大廈10層

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STGP10M65DF2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

STGP10M65DF2

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