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STGP10M65DF2

溝槽柵場(chǎng)截止IGBT，M系列，650 V、10 A，低損耗; ? 6 μs of short-circuit withstand time \n? VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 10 A \n? Tight parameter distribution \n? Safer paralleling \n? Positive VCE(sat) temperature coefficient \n? Low thermal resistance \n? Soft and very fast recovery antiparallel diode \n? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C;

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.\n\n

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP10M65DF2

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low loss

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STGP10M65DF2

Package：TO-220-3；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V 10A TO-220AB

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G10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alow-lossinD2PAKpackage

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThedeviceispartoftheMseries IGBTs,whichrepresentanoptimalbalance betweeninvertersystemperformanceand efficiencywherelow-lossandshort-circuit functionalityareess

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STGB10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alowloss

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STGB10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alow-lossinD2PAKpackage

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThedeviceispartoftheMseries IGBTs,whichrepresentanoptimalbalance betweeninvertersystemperformanceand efficiencywherelow-lossandshort-circuit functionalityareess

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Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alow-lossinTO-220FPpackage

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Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alowloss

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGP10M65DF2

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，10A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    120μJ（開(kāi)），270μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    19ns/91ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，10A，22 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 650V 10A TO-220AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
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更多STGP10M65DF2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 23:00:00

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