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STGW10M65DF2

溝槽柵場截止IGBT，M系列，650 V、10 A，低損耗; ? 6 μs of short-circuit withstand time \n? VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 10 A \n? Tight parameter distribution \n? Safer paralleling \n? Positive VCE(sat) temperature coefficient \n? Low thermal resistance \n? Soft and very fast recovery antiparallel diode \n? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C;

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.\n\n

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STGW10M65DF2

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low loss

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STGW10M65DF2

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

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G10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alow-lossinD2PAKpackage

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThedeviceispartoftheMseries IGBTs,whichrepresentanoptimalbalance betweeninvertersystemperformanceand efficiencywherelow-lossandshort-circuit functionalityareess

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STGB10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alowloss

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STGB10M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alow-lossinD2PAKpackage

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThedeviceispartoftheMseries IGBTs,whichrepresentanoptimalbalance betweeninvertersystemperformanceand efficiencywherelow-lossandshort-circuit functionalityareess

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Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alow-lossinTO-220FPpackage

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Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,10Alowloss

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGW10M65DF2

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    M

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，10A

  • 開關能量：

    120μJ（開），270μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    19ns/91ns

  • 測試條件：

    400V，10A，22 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STGW10M65DF2供應商 更新時間2025-7-28 8:31:00

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