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STGF30H65DFB2數(shù)據(jù)手冊ST中文資料規(guī)格書
STGF30H65DFB2規(guī)格書詳情
描述 Description
The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A very fast soft recovery diode is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.
特性 Features
? Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
? Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 30 A
? Very fast and soft recovery co-packaged diode
? Minimized tail current
? Tight parameter distribution
? Low thermal resistance
? Positive VCE(sat) temperature coefficient
技術參數(shù)
- 制造商編號
：STGF30H65DFB2
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：650
- PTOT_max(W)
：50
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：50
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：30
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：41
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：24
- VCE(sat)_typ(V)
：1.65
- VF_typ(V)
：1.8
- Qg_typ(nC)
：90
- Eoff_typ(mJ)
：0.31
- Err_typ(μJ)
：145
- Qrr_typ(nC)
：600
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-220FP |
12500 |
ST系列在售,可接長單 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
23+ |
TO-220FP-3 |
6900 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
ST(意法) |
2511 |
TO-220-3 整包 |
9550 |
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-220-3 |
10000 |
市場最低 原裝現(xiàn)貨 假一罰百 可開原型號 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
24+ |
TO-220FP-3 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
24+ |
TO-220FP-3 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
ST全系列 |
25+23+ |
TO-220FP |
25840 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
2022+ |
TO-220FP-3 |
6900 |
原廠原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
ST |
3580 |
只做正品 |
詢價 |
