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STF16N60M6中文資料N溝道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-220FP封裝數(shù)據(jù)手冊ST規(guī)格書

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廠商型號

STF16N60M6

參數(shù)屬性

STF16N60M6 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP

功能描述

N溝道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-220FP封裝
MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP

封裝外殼

TO-220-3 整包

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-11 17:50:00

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STF16N60M6規(guī)格書詳情

描述 Description

The new MDmesh? M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) * area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

特性 Features

? Reduced switching losses
? Lower RDS(on) x area vs previous generation
? Low gate input resistance
? 100% avalanche tested
? Zener-protected

簡介

STF16N60M6屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由制造生產(chǎn)的STF16N60M6晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :STF16N60M6

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-220FP

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.32

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :12

  • PTOT_max(W)

    :110

  • Qg_typ(nC)

    :15

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
25+
原廠原封
16900
原裝,請咨詢
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ST/意法
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ST(意法半導(dǎo)體)
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TO-220FPAB-3
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