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STF15NM60ND中文資料N-channel 600 V, 0.27 Ohm typ., 14 A FDmesh II Power MOSFET in TO-220FP package數(shù)據(jù)手冊ST規(guī)格書
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描述 Description
The FDmesh? II series belongs to the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode.Strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.
特性 Features
The worldwide best R
DS(on)* area amongst the fast recovery diode devices
Low input capacitance and gate charge
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
Low gate input resistance
技術(shù)參數(shù)
- 型號：
STF15NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-Ch, 600V-0.27ohms FDMesh 14A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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ST/意法 |
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NA |
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SST |
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