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STF15NM65N中文資料N溝道650 V、0.35 Ohm典型值、12 A MDmesh II功率MOSFET,TO-220FP封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)ST規(guī)格書

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廠商型號(hào)

STF15NM65N

功能描述

N溝道650 V、0.35 Ohm典型值、12 A MDmesh II功率MOSFET,TO-220FP封裝

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-11 23:01:00

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STF15NM65N規(guī)格書詳情

描述 Description

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFETs associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

特性 Features

? 100% avalanche tested
? Low input capacitance and gate charge
? Low gate input resistance

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :STF15NM65N

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-220FP

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :650

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.38

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :12

  • PTOT_max(W)

    :30

  • Qg_typ(nC)

    :33.3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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