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STB34N65M5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STB34N65M5
廠商型號(hào)

STB34N65M5

功能描述

N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages

絲印標(biāo)識(shí)

34N65M5

封裝外殼

D2PAK

文件大小

1.43071 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

22 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
STMICROELECTRONICS
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-3 15:28:00

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STB34N65M5規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? Worldwide best RDS(on) * area

? Higher VDSS rating and high dv/dt capability

? Excellent switching performance

? 100 avalanche tested

Applications

? Switching applications

描述 Description

These devices are N-channel MDmesh? V

Power MOSFETs based on an innovative

proprietary vertical process technology, which is

combined with STMicroelectronics’ well-known

PowerMESH? horizontal layout structure. The

resulting product has extremely low onresistance, which is unmatched among siliconbased Power MOSFETs, making it especially

suitable for applications which require superior

power density and outstanding efficiency.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB34N65M5

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法半導(dǎo)體
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TO-263-3
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只做原裝,質(zhì)量保證
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
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STMicroelectronics
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TO263
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