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STB32NM50N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB32NM50N
廠商型號

STB32NM50N

功能描述

N-channel 500 V, 0.1 廓 typ., 22 A MDmesh??II Power MOSFET in D?PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages

文件大小

1.17424 Mbytes

頁面數(shù)量

21

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-22 23:01:00

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STB32NM50N規(guī)格書詳情

描述 Description

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

特性 Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Applications

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STB32NM50N

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法)
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