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STB31N65M5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STB31N65M5
廠商型號(hào)

STB31N65M5

功能描述

N-channel 650 V, 0.124 typ., 22 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, I2PakFP, TO-220 and TO-247 packages

文件大小

1.66434 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

25 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱(chēng)

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 19:07:00

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STB31N65M5規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

These devices are N-channel MDmesh? V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH? horizontal layout structure. The resulting product has extremely low onresistance, which is unmatched among siliconbased Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

特性 Features

? Worldwide best RDS(on) * area

? Higher VDSS rating and high dv/dt capability

? Excellent switching performance

? 100 avalanche tested

Applications

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB31N65M5

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
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ST/意法半導(dǎo)體
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原廠授權(quán)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源!
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