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SSM3J334R中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SSM3J334R
廠商型號

SSM3J334R

功能描述

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

文件大小

235.13 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
TOSHIBA
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-3 20:00:00

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SSM3J334R規(guī)格書詳情

○ Power Management Switch Applications

???????

? Low ON-resistance: RDS(ON) = 71 mΩ (max) (@VGS = -10 V)

RDS(ON) = 105 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

RDS(ON) = 136 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SSM3J334R

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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