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SSM3J327R_V01中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SSM3J327R_V01
廠商型號

SSM3J327R_V01

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

文件大小

432.89 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
TOSHIBA
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-3 16:59:00

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SSM3J327R_V01規(guī)格書詳情

Applications

? Power Management Switches

特性 Features

(1) 1.5-V drive

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)

RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 93 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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