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SSM3J332R_V01中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SSM3J332R_V01
廠商型號(hào)

SSM3J332R_V01

功能描述

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

文件大小

351.56 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
TOSHIBA
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-2 20:00:00

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SSM3J332R_V01規(guī)格書詳情

○Power Management Switch Applications

? 1.8-V drive

? Low ON-resistance: RDS(ON) = 144 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 72.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 50.0 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

RDS(ON) = 42.0 mΩ (max) (@VGS = -10 V)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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