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SSM3J332R

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/kfj/marking.html">KFJ；Package：2-3Z1S；TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

○PowerManagementSwitchApplications ?1.8-Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=144mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=72.0mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=50.0mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=42.0mΩ(max)(@VGS=-10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3J332R

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/kfj/marking.html">KFJ；Package：SOT-23；P?CHANNEL MOSFET

FEATURES VDS(V)=-30V RDS(ON)46m(VGS=-10V) RDS(ON)54m(VGS=-4.5V) APPLICATIONS ForMobileComputing LoadSwitch NotebookAdaptorSwitch DC/DCConverter

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

SSM3J332R

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/kfj/marking.html">KFJ；Package：SOT-23；P?CHANNEL MOSFET

FEATURES VDS(V)=-30V RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

SSM3J332R

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3J332R

Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current ID -6 A \nPower Dissipation PD 1 W \nDrain-Source voltage VDSS -30 V \nGate-Source voltage VGSS +/-12 V \n;

Polarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰國\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3J332R

Power Management Switch Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3J332R

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SSM3J332R_V01

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

○PowerManagementSwitchApplications ?1.8-Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=144mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=72.0mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=50.0mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=42.0mΩ(max)(@VGS=-10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

技術(shù)參數(shù)

  • Polarity：

    P-ch

  • VDSS(V)：

    -30

  • VGSS(V)：

    +/-12

  • ID(A)：

    -6.0

  • PD(W)：

    1.0

  • Ciss(pF)：

    560

  • Qg(nC)：

    8.2

  • =1.8V：

    0.144

  • =2.5V：

    0.072

  • =4.5V：

    0.05

  • =10V：

    0.042

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    Y

  • Package name(Toshiba)：

    SOT-23F

  • Generation：

    U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm)：

    2.9 x 2.4 x 0.8

  • Package Size(mm^2)：

    6.96

  • Drive voltage type：

    Low Voltage Gate Drive

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA/東芝
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歡迎來電咨詢 只做原裝
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TOSHIBA/東芝全新特價SSM3J332R即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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SOT-23
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TOSHIBA/東芝
24+
SOT-23F
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
更多SSM3J332R供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 9:03:00

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