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SI1965DH-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5V中天科工二部

SI1965DH-T1-GE3

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

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  • 廠家型號：

    SI1965DH-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世

  • 庫存數(shù)量：

    47689

  • 產(chǎn)品封裝：

    SC70-6

  • 生產(chǎn)批號：

    25+

  • 庫存類型：

    熱賣庫存

  • 更新時間：

    2025-7-30 19:27:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SI1965DH-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

VISHAY/威世全新特價(jià)SI1965DH-T1-GE3即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨

  • 芯片型號：

    SI1965DH-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    1019.13 kb

  • 資料說明：

    Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SI1965DH-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13128990370/微信同號

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B

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