訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SI1905DL-T1-E3>芯片詳情
SI1905DL-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 8V 0.6A中天科工二部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI1905DL-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 8V 0.6A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
相近型號
- SI1902DL-T1-GE3
- SI1912EDH-T1
- SI1902DL-T1-E3
- SI1912EDH-T1-E3
- SI1902DL-T1
- SI1912EDH-T1-GE3
- SI1902CDL-T1-GE3
- SI1913DH-T1-E3
- SI1901DL-T1-GE3
- SI1913DH-T1-GE3
- SI1900DL-T1-GE3
- SI1913EDH-T1-GE3
- SI1900DL
- SI1917EDH-T1-E3
- SI1869DH-T1
- SI1917EDH-T1-GE3
- SI1869DH
- SI1922EDH
- SI1867DH-T1-GE3
- SI1922EDH-T1-GE3
- SI1865DL-T1-E3
- SI1926DL-T1-E3
- SI1865DL-T1
- SI1926DL-T1-GE3
- SI1865DL
- SI1958DH-T1-E3
- SI1865DDL-T1-GE3
- SI1965DH-T1-E3
- SI1865DDL
- SI1965DH-T1-GE3
- SI1563EDH-T1-GE3
- SI1967DH-T1-E3
- SI1563EDH
- SI1970DH-T1-E3
- SI1563DH-T1-GE3
- SI1970DH-T1-GE3
- SI1563DH-T1-E3
- SI1972DH-T1-GE3
- SI1557DH-T1-GE3
- SI1988DH-T1-E3
- SI1555DL-T1-GE3
- SI2136-B30-GMR
- SI1555DL-T1-E3
- SI2141-A10-GM
- SI1555DL
- SI2141-A10-GMR
- SI1553DL-T1-GE3
- SI2151-A10-GMR
- SI1553DL-T1-E3
- SI2155-B30-GMR