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SGS5N150UFTU數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

SGS5N150UFTU

參數(shù)屬性

SGS5N150UFTU 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1500V 10A 50W TO220F

功能描述

Switching Power Supply (IGBT)
IGBT 1500V 10A 50W TO220F

封裝外殼

TO-220-3 整包

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-24 17:44:00

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SGS5N150UFTU規(guī)格書詳情

描述 Description

General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses.
SGS5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications.

特性 Features

? High Speed Switching
? Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.7 V @ IC = 5A
? High Input ImpedanceApplication
? Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Converter

簡介

SGS5N150UFTU屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的SGS5N150UFTU晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    SGS5N150UFTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    5.5V @ 10V,5A

  • 開關(guān)能量:

    190μJ(開),100μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    10ns/30ns

  • 測試條件:

    600V,5A,10 歐姆,10V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220F-3

  • 描述:

    IGBT 1500V 10A 50W TO220F

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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