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SGR6N60UF數據手冊分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

SGR6N60UF

參數屬性

SGR6N60UF 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 6A 30W DPAK

功能描述

Ultra-Fast IGBT
IGBT 600V 6A 30W DPAK

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數據手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-24 18:19:00

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SGR6N60UF規(guī)格書詳情

簡介

SGR6N60UF屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產的SGR6N60UF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

技術參數

更多
  • 產品編號:

    SGR6N60UFTM

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,3A

  • 開關能量:

    57μJ(開),25μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    15ns/60ns

  • 測試條件:

    300V,3A,80 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 600V 6A 30W DPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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