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SGS23N60UFD數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF
| 廠商型號(hào) |
SGS23N60UFD |
| 參數(shù)屬性 | SGS23N60UFD 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 23A 73W TO220F |
| 功能描述 | 600V，PT IGBT |
| 封裝外殼 | TO-220-3 整包 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-18 23:01:00 |
| 人工找貨 | SGS23N60UFD價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SGS23N60UFD規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
安森美半導(dǎo)體的 UFD 系列絕緣門極雙極晶體管 (IGBT) 提供低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。UFD 系列設(shè)計(jì)適用于高速開(kāi)關(guān)是必要功能的應(yīng)用，例如電機(jī)控制和通用變頻器。
特性 Features
?高速開(kāi)關(guān)
?低飽和電壓： VCE(sat)=2.1V 需 IC=12A
?高輸入阻抗
?CO-PAK、IGBT 及 FRD： trr=42 ns（典型值）
應(yīng)用 Application
? 其他工業(yè)
簡(jiǎn)介
SGS23N60UFD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的SGS23N60UFD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
SGS23N60UFDTU
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，12A
- 開(kāi)關(guān)能量：
115μJ（開(kāi)），135μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
17ns/60ns
- 測(cè)試條件：
300V，12A，23 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220F-3
- 描述：
IGBT 600V 23A 73W TO220F
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3329 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO220F |
7350 |
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詢價(jià) | ||
ON |
20+ |
TO-220 |
500 |
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詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
25+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220F |
880000 |
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24+ |
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23000 |
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詢價(jià) | ||
FSC |
23+ |
原廠原封 |
50 |
訂貨1周 原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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24+ |
TO-247 |
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