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RJP30E3DPP-M0數(shù)據(jù)手冊(cè)Renesas中文資料規(guī)格書(shū)

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廠商型號(hào)

RJP30E3DPP-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名稱(chēng)

瑞薩 瑞薩科技有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 23:00:00

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RJP30E3DPP-M0規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? Trench gate technology (G5H series)
? Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ
? High speed switching tf = 150 ns typ
? Low leak current ICES = 1 μA max
? Isolated package TO-220FL

技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    RJP30E3DPP-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱(chēng):

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
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