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RJP30E3DPK-M0數(shù)據(jù)手冊Renesas中文資料規(guī)格書

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廠商型號

RJP30E3DPK-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名稱

瑞薩 瑞薩科技有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-7 23:00:00

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RJP30E3DPK-M0規(guī)格書詳情

特性 Features

? Trench gate technology (G5H series)
? Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ
? High speed switching tf = 150 ns typ
? Low leak current ICES = 1 μA max?

技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    RJP30E3DPK-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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