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RJP30E2數據手冊Renesas中文資料規(guī)格書

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廠商型號

RJP30E2

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching / Vce(sat) = 1.7V typ

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名稱

瑞薩 瑞薩科技有限公司

數據手冊

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更新時間

2025-8-7 23:00:00

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RJP30E2規(guī)格書詳情

描述 Description

1. Trench gate technology (G5H series)
2. Low collector to emitter saturation voltage? VCE(sat)= 1.7 V typ
3. High speed switching? tf = 150 ns typ
4. Low leak current? ICES= 1 μA max
5. Isolated package TO-220FL

技術參數

  • 型號:

    RJP30E2

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Renesas(瑞薩)
24+
標準封裝
9048
支持大陸交貨,美金交易。原裝現貨庫存。
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RENESAS/瑞薩
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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一級代理商進口原裝現貨、價格合理
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RENESAS/瑞薩
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原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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