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PTFA082201F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PTFA082201F |
| 參數(shù)屬性 | PTFA082201F 封裝/外殼為2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 ??894 MHz |
| 封裝外殼 | 2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭 |
| 文件大小 |
352.6 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-8 13:36:00 |
| 人工找貨 | PTFA082201F價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PTFA082201F規(guī)格書詳情
PTFA082201F屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA082201F晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PTFA082201FV4R250XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
894MHz
- 增益：
18dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
220W
- 封裝/外殼：
2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-37260-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
H372602 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
H-37260 |
60000 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
469 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
21+ |
H-37260-2 |
21000 |
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))! |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
高頻 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA/ |
500 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
H-37260 |
20000 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
20+ |
高頻 |
9986 |
詢價(jià) | |||
INFINEO |
24+ |
高頻 |
80000 |
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價(jià) |
