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PTFA080551E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PTFA080551E |
| 參數(shù)屬性 | PTFA080551E 封裝/外殼為H-36265-2；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs |
| 封裝外殼 | H-36265-2 |
| 文件大小 |
4.43668 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-10 16:36:00 |
| 人工找貨 | PTFA080551E價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PTFA080551E規(guī)格書詳情
PTFA080551E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA080551E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PTFA080551E V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
960MHz
- 增益：
18.5dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
55W
- 封裝/外殼：
H-36265-2
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-36265-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
NA |
8500 |
原廠原包原裝公司現(xiàn)貨,假一賠十,低價(jià)出售 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2019+ |
SMD |
6992 |
原廠渠道 可含稅出貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
H-36265-2 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
INF |
24+ |
29 |
詢價(jià) | ||||
INFINEON |
24+ |
NI-787 |
6000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨 假一賠佰 |
詢價(jià) | ||
INFINEO |
17+ |
高頻管 |
60000 |
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7000 |
公司只做原裝，可來電咨詢 |
詢價(jià) |
