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PTFA080551E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFA080551E
廠商型號

PTFA080551E

參數(shù)屬性

PTFA080551E 封裝/外殼為H-36265-2;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 55 W, 869 ??960 MHz
IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2

封裝外殼

H-36265-2

文件大小

233.55 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-10 14:14:00

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PTFA080551E規(guī)格書詳情

PTFA080551E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA080551E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTFA080551E V1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    18.5dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    55W

  • 封裝/外殼:

    H-36265-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-36265-2

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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