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PTFA080551E V1數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
PTFA080551E V1 |
| 參數(shù)屬性 | PTFA080551E V1 封裝/外殼為H-36265-2；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 |
| 功能描述 | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 |
| 封裝外殼 | H-36265-2 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-12 17:48:00 |
| 人工找貨 | PTFA080551E V1價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PTFA080551E V1規(guī)格書詳情
簡(jiǎn)介
PTFA080551E V1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的PTFA080551E V1晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
：PTFA080551E V1
- 生產(chǎn)廠家
：Infineon
- 頻率
：960MHz
- 增益
：18.5dB
- 電壓 - 測(cè)試
：28V
- 額定電流
：10μA
- 噪聲系數(shù)
：-
- 電流 - 測(cè)試
：600mA
- 功率 - 輸出
：55W
- 電壓 - 額定
：65V
- 封裝/外殼
：H-36265-2
- 供應(yīng)商器件封裝
：H-36265-2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
2017+ |
NA |
28562 |
只做原裝正品假一賠十! |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H362652 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
2023+ |
N-CH+65V+3 |
5800 |
進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱賣 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
SMD |
11200 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-36265-2 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
N/A |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
N/A |
7000 |
詢價(jià) | |||
INFINEO |
23+ |
H-36265 |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
H-36265-2 |
21000 |
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))! |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) |
