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PTFA080551F V1數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF

廠商型號(hào) |
PTFA080551F V1 |
參數(shù)屬性 | PTFA080551F V1 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 |
功能描述 | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 |
封裝外殼 | 2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-11 15:57:00 |
人工找貨 | PTFA080551F V1價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PTFA080551F V1規(guī)格書詳情
簡(jiǎn)介
PTFA080551F V1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的PTFA080551F V1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
:PTFA080551F V1
- 生產(chǎn)廠家
:Infineon
- 頻率
:960MHz
- 增益
:18.5dB
- 電壓 - 測(cè)試
:28V
- 額定電流
:10μA
- 噪聲系數(shù)
:-
- 電流 - 測(cè)試
:600mA
- 功率 - 輸出
:55W
- 電壓 - 額定
:65V
- 封裝/外殼
:2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭
- 供應(yīng)商器件封裝
:H-37265-2
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA/ |
500 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H372652 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
N/A |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
N/A |
7000 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
SMD |
20000 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-37265-2 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
H-37265-2 |
21000 |
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))! |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
H-37265-2 |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
H-37265-2 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) |