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PTF210451E數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

PTF210451E

參數(shù)屬性

PTF210451E 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz
IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2

封裝外殼

2-扁平封裝,葉片引線

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-16 16:31:00

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PTF210451E規(guī)格書詳情

簡介

PTF210451E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的PTF210451E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PTF210451E V1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GOLDMOS?

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.17GHz

  • 增益:

    14dB

  • 額定電流(安培):

    1μA

  • 功率 - 輸出:

    45W

  • 封裝/外殼:

    2-扁平封裝,葉片引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-30265-2

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon
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