PTB32003X中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
PTB32003X |
| 功能描述 | NPN microwave power transistors |
| 文件大小 |
66.24 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | PHI |
| 中文名稱 | 飛利浦 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-7 18:09:00 |
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PTB32003X規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a metal ceramic SOT440A flange package with base connected to the flange.
FEATURES
? Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR
? Interdigitated structure provides high emitter efficiency
? Multicell geometry gives good balance of dissipated power and low thermal resistance
? Localized thick oxide auto-alignment process and gold sandwich metallization ensure an optimum temperature profile and excellent performance and reliability.
APPLICATIONS
Common-base, class B power amplifiers up to 4.2 GHz.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
PTB32003X
- 制造商：
ASI
- 制造商全稱：
ASI
- 功能描述：
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ERICSSON/愛(ài)立信 |
24+ |
299 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | |||
NEOPHOTOI |
1836+ |
9852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | |||
Infineon |
24+ |
SOP |
5989 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存! |
詢價(jià) | ||
NEOPHOTOI |
24+ |
NA |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
TI/TEXAS |
23+ |
DIPMODULE-10 |
8931 |
詢價(jià) | |||
HEPHOTONICS |
22+ |
HEPHOTONICS |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) | ||
NEPHOTO |
25+23+ |
DIP |
35268 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Texas Instruments(德州儀器) |
22+ |
NA |
500000 |
萬(wàn)三科技,秉承原裝,購(gòu)芯無(wú)憂 |
詢價(jià) | ||
HEPHOTONI |
23+ |
HEPHOTONI |
11200 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | ||
PHOTON |
24+ |
DIP |
6000 |
原裝房間現(xiàn)貨可出樣品 |
詢價(jià) |
