PTB23003X中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
PTB23003X |
| 功能描述 | NPN microwave power transistors |
| 文件大小 |
99.58 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Philips Semiconductors |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
PHI【飛利浦】 |
| 中文名稱(chēng) | 荷蘭皇家飛利浦 |
| 原廠標(biāo)識(shí) | PHILIPS |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-1 17:01:00 |
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PTB23003X規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a metal ceramic SOT440A flange package with base connected to the flange.
FEATURES
? Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR
? Interdigitated structure provides high emitter efficiency
? Multicell geometry gives good balance of dissipated power and low thermal resistance
? Localized thick oxide auto-alignment process and gold sandwich metallization ensure an optimum temperature profile and excellent performance and reliability.
APPLICATIONS
Common-base, class B power amplifiers up to 4.2 GHz.
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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