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PTB23003X中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PTB23003X
廠商型號(hào)

PTB23003X

功能描述

NPN microwave power transistor

文件大小

58.97 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

原廠標(biāo)識(shí)

PHILIPS

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-3 16:00:00

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PTB23003X規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a metal ceramic SOT440A flange package with base connected to the flange.

FEATURES

? Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR

? Interdigitated structure provides high emitter efficiency

? Multicell geometry gives good balance of dissipated power and low thermal resistance

? Localized thick oxide auto-alignment process and gold sandwich metallization ensure an optimum temperature profile and excellent performance and reliability.

APPLICATIONS

Common-base, class B power amplifiers up to 4.2 GHz.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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