PMXB65ENE數(shù)據(jù)手冊(cè)Nexperia中文資料規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
PMXB65ENE |
| 功能描述 | 30 V, N-channel Trench MOSFET |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名稱 | 安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-1 9:42:00 |
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描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
? Trench MOSFET technology
? Leadless ultra small and thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm
? Exposed drain pad for excellent thermal conduction
? ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1 kV
? Very low Drain-Source on-state resistance RDSon = 44 mΩ
應(yīng)用 Application
? Low-side load switch and charging switch for portable devices
? Power management in battery-driven portables
? LED driver
? DC-to-DC converters
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：PMXB65ENE
- 生產(chǎn)廠家
：Nexperia
- Package name
：DFN1010D-3
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：30
- VGS [max] (V)
：20
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：67
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：1000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：3.2
- QGD [typ] (nC)
：0.90000004
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：6
- Ptot [max] (W)
：0.4
- VGSth [typ] (V)
：1.4
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：295
- Coss [typ] (pF)
：40
- Release date
：2013-09-10
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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