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PMXB65ENE

Marking:00;Package:SOT1215;30 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?LeadlessultrasmallandthinSMDp

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安世安世半導體(中國)有限公司

PMXB65ENE_15

30 V, N-channel Trench MOSFET

PhilipsPhilips Semiconductors

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