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首頁>PMWD30UN>規(guī)格書詳情

PMWD30UN數(shù)據(jù)手冊恩XP中文資料規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號

PMWD30UN

功能描述

Dual uTrenchMOS ultra low level FET

制造商

恩XP 恩XP

中文名稱

N智浦

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-24 20:48:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    PMWD30UN

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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