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PMPB12R7EP中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PMPB12R7EP
廠商型號(hào)

PMPB12R7EP

功能描述

30 V, P-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

ZM

封裝外殼

SOT1220-2

文件大小

311.92 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-4 23:01:00

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PMPB12R7EP規(guī)格書詳情

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power

DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Logic-level compatible

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

? Exposed drain pad for excellent thermal conduction

3. Applications

? Charging switch for portable devices

? DC-to-DC converters

? Power management in battery-driven portable devices

? Computing power management

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