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PMPB07R3EN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMPB07R3EN
廠商型號

PMPB07R3EN

功能描述

30 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識

ZQ

封裝外殼

SOT1220-2

文件大小

325.56 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-7 12:00:00

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PMPB07R3EN規(guī)格書詳情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power

DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Logic-level compatible

? Ultra low QG, QGD for high system efficiency, especially at higher switching frequencies

? Superfast switching with soft-recovery

? Low spiking and ringing for low EMI designs

? Exposed drain pad for excellent thermal conduction

? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

3. Applications

? DC to DC conversion

? Battery management

? Low-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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