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PMPB11R2VP中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PMPB11R2VP
廠商型號(hào)

PMPB11R2VP

功能描述

12 V, P-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

ZC

封裝外殼

SOT1220-2

文件大小

325.26 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-10 23:01:00

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PMPB11R2VP規(guī)格書詳情

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power

DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Trench MOSFET technology

? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

? Exposed drain pad for excellent thermal conduction

3. Applications

? Charging switch for portable devices

? DC-to-DC converters

? Power management in battery-driven portable devices

? Computing power management

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
恩XP
24+
NA/
250
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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Nexperia(安世)
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DFN2020MD
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DFN2020MD
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NEXPERIA/安世
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DFN2020-6
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只做原裝 可免費(fèi)提供樣品
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NK/南科功率
2025+
DFN2020M-6
986966
國(guó)產(chǎn)
詢價(jià)