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PMPB09R1XN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PMPB09R1XN
廠商型號(hào)

PMPB09R1XN

功能描述

30 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

ZV

封裝外殼

SOT1220-2

文件大小

307.36 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱(chēng)

安世 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-7 23:00:00

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PMPB09R1XN規(guī)格書(shū)詳情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power

DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Trench MOSFET technology

? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

? Exposed drain pad for excellent thermal conduction

3. Applications

? Charging switch for portable devices

? DC-to-DC converters

? Power management in battery-driven portables

? Hard disk and computing power management

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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